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S2070W、DS3070W-100#对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S2070W DS3070W-100#

描述 Non-Volatile SRAM, 2MX8, 100ns, CMOS, PBGA256, 27 X 27 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, BGA-256IC NVSRAM 16Mbit 100NS 256BGA

数据手册 --

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 BGA BGA-256

安装方式 - Surface Mount

封装 BGA BGA-256

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - 100 GHz

存取时间 - 100 ns

内存容量 - 16000000 B

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 - 3V ~ 3.6V

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)