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JANTX2N6770、JANTXV2N6770、2N6770对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6770 JANTXV2N6770 2N6770

描述 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3Pin(2+Tab) TO-3Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 - -

封装 TO-3 TO-204 -

耗散功率 4 W 150 W -

漏源极电压(Vds) 500 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 4W (Ta), 150W (Tc) - -

产品系列 - IRF450 -

封装 TO-3 TO-204 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 Contains Lead - -