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71016S12YGI、CY7C1021B-12VI、K6R1016C1B-JI12对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71016S12YGI CY7C1021B-12VI K6R1016C1B-JI12

描述 SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ Tray1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAMStandard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Samsung (三星)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 SOJ SOJ SOJ

封装 SOJ SOJ SOJ

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

电源电压 - 5 V -

ECCN代码 - 3A991.b.2 -