SI4850EY-T1-E3、SI4850EY-T1-GE3、IRF7855PBF对比区别

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型号 SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-GE3 IRF7855PBF

描述 VISHAY  SI4850EY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) 60.0 V - -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.018 Ω 0.018 Ω 0.0094 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.7 W 3.3 W 97 mW

阈值电压 1 V 3 V 4.9 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V - 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.50 A 6.00 A 12.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.7 W 3.3 W 2500 mW

上升时间 - 10 ns 13 ns

下降时间 - 12 ns 12 ns

额定功率 - - 2.5 W

通道数 - - 1

产品系列 - - IRF7855

输入电容 - - 1560pF @25V

输入电容(Ciss) - - 1560pF @25V(Vds)

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.55 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -