BLT81、BLT81,115、LT-8对比区别

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型号 BLT81 BLT81,115 LT-8

描述 射频双极晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsNXP  BLT81,115  晶体管 双极-射频, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFEUHF power transistor SC-73 4-Pin

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

引脚数 - 3 -

最小电流放大倍数(hFE) 25 25 @300mA, 5V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW -

电源电压(DC) - 7.50 V -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 2 W -

输出功率 - 1.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 9.5 V -

增益 - 8 dB -

最大电流放大倍数(hFE) - 25 -

额定功率(Max) - 2 W -

直流电流增益(hFE) - 25 -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

电源电压 - 6 V -

长度 6.7 mm 6.7 mm -

宽度 3.7 mm 3.7 mm -

高度 1.8 mm 1.7 mm -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -