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BST16、BST16,115、BFN19对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BST16 BST16,115 BFN19

描述 BST16 PNP三极管 -350V -200mA/-0.2A 15MHz 30~120 -750mV/-0.75V SOT-89/SC-62 marking/标记 BT2 开关/放大双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7PNP硅高压晶体管 PNP Silicon High-Voltage Transistors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-89 SOT-89-3 SOT-89

额定功率 - - 1 W

极性 - PNP -

耗散功率 - 1300 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V -

集电极最大允许电流 - 0.2A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 1.3 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

长度 - 4.6 mm 4.50 mm

宽度 - 2.6 mm 2.5 mm

高度 - 1.6 mm 1.50 mm

封装 SOT-89 SOT-89-3 SOT-89

工作温度 - 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Obsolete End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -