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JAN1N6137US、JANTXV1N6137US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6137US JANTXV1N6137US

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage SuppressorE-MELF 152V 500W

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 SQ-MELF E-MELF

最大反向电压(Vrrm) 152V 152V

脉冲峰值功率 500 W 500 W

最小反向击穿电压 180.5 V -

额定功率 - -

击穿电压 - -

封装 SQ-MELF E-MELF

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk -

RoHS标准 -

含铅标准 -