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IXTA100N04T2、IXTP100N04T2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA100N04T2 IXTP100N04T2

描述 D2PAK N-CH 40V 100ATO-220 N-CH 40V 100A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-220-3

引脚数 3 -

通道数 1 1

漏源极电阻 7 mΩ 7 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 150 W 150 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A

上升时间 5.2 ns 5.2 ns

输入电容(Ciss) 2690pF @25V(Vds) 2690pF @25V(Vds)

下降时间 6.4 ns 6.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc)

长度 10.41 mm 10.66 mm

宽度 9.65 mm 4.83 mm

高度 4.83 mm 9.15 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free