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MCP663-E/SN、MCP632T-E/SN、MCP663T-E/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP663-E/SN MCP632T-E/SN MCP663T-E/SN

描述 MCP660/661/662/663/664/665/669 Operational Amplifiers### 运算放大器,Microchip24兆赫, 2.5毫安运算放大器 24 MHz, 2.5 mA Op Amps60兆赫, 6毫安运算放大器 60 MHz, 6 mA Op Amps

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 2.50V (min) 2.50V (min) 2.50V (min)

输出电流 150 mA 70 mA ≤150 mA

供电电流 6 mA 2.5 mA 6 mA

电路数 1 2 1

通道数 1 2 1

共模抑制比 81 dB 81 dB -

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

增益频宽积 60 MHz 24 MHz 60 MHz

输入补偿电压 1.8 mV 1.8 mV 1.8 mV

输入偏置电流 6 pA 4 pA 6 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 64 dB 63 dB 64 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V -

工作电压 2.5V ~ 5.5V - -

耗散功率 48 mW - -

静态电流 9 mA - -

带宽 60 MHz - -

转换速率 32.0 V/μs - -

增益带宽 60 MHz - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 2.5 V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.25 mm 1.25 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -