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IRF3709S、IRF3709SPBF、IRF3709STRLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3709S IRF3709SPBF IRF3709STRLPBF

描述 D2PAK N-CH 30V 90AD2PAK N-CH 30V 90AINFINEON  IRF3709STRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1W (Ta), 120W (Tc) 3.1 W 3.1 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 90A 90A 90A

输入电容(Ciss) 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds)

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)

额定功率 - 120 W 120 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 10.5 mΩ

阈值电压 - - 20 V

输入电容 - - 2672pF @16V

漏源击穿电压 - - 30 V

上升时间 - 171 ns 171 ns

下降时间 - 9.2 ns 9.2 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅