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IXDD604SI、IXDD604SITR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDD604SI IXDD604SITR

描述 IXD 系列 双通道低压侧 4 A 裸露的金属背面 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8门驱动器 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 9ns, 8ns 9ns, 8ns

输出接口数 2 2

输出电流 4 A 4 A

上升时间 16 ns 9 ns

输出电流(Max) 4 A -

下降时间 14 ns 8 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V

下降时间(Max) - 14 ns

上升时间(Max) - 16 ns

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -