NTB18N06LG、NTB18N06LT4G、NTB25P06T4G对比区别

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型号 NTB18N06LG NTB18N06LT4G NTB25P06T4G

描述 功率MOSFET 15安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level15A,60V功率MOSFETP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -60.0 V

额定电流 15.0 A 15.0 A -25.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 100 mΩ 100 mΩ 0.07 Ω

极性 N-Channel N-Channel P-Channel

耗散功率 48.4W (Tc) 48.4 W 120 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 ±10.0 V ±10.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15.0 A 27.5 A

上升时间 121 ns 121 ns 72 ns

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 48.4 W 48.4 W 120 W

下降时间 42 ns 42 ns 190 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 48.4W (Tc) 48.4W (Tc) 120 W

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

输入电容 450 pF - -

栅电荷 22.0 nC - -

长度 - - 10.29 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99