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MXP6KE170A、MXP6KE170AE3、MXP6KE170ATRE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MXP6KE170A MXP6KE170AE3 MXP6KE170ATRE3

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 Hi Rel TVSTVS 600W UNIDIRECT T-18Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 145V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 T-18-2 T-18 -

引脚数 - 2 -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 161 V 161 V -

钳位电压 - 234 V -

测试电流 - 1 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

工作结温 - -65℃ ~ 150℃ -

封装 T-18-2 T-18 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -