锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

AO6400、AP105-HIF3-3236SCFC(64)、FDC645N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO6400 AP105-HIF3-3236SCFC(64) FDC645N

描述 30V,28mΩ,6.9A,N沟道MOSFETTOOL PRESS APPLICATORFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC645N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.4 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Hirose Electric (广濑) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 TSOP-6 - TSOT-23-6

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 5.50 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 6

漏源极电阻 - - 0.023 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 2 W - 1.6 W

阈值电压 - - 1.4 V

输入电容 - - 1.46 nF

栅电荷 - - 13.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.9A - 5.50 A

上升时间 2.5 ns - 9 ns

输入电容(Ciss) 1030pF @15V(Vds) - 1460pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W - 800 mW

下降时间 4 ns - 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta) - 1.6W (Ta)

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.7 mm

高度 - - 1 mm

封装 TSOP-6 - TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99