STF24N60M2、STI24N60M2、STF24NM60N对比区别

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型号 STF24N60M2 STI24N60M2 STF24NM60N

描述 N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STF24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.168 Ω - 0.168 Ω

耗散功率 30 W 150 W 30 W

阈值电压 4 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 9 ns 9 ns 16.5 ns

输入电容(Ciss) 1060pF @100V(Vds) 1060pF @100V(Vds) 1400pF @50V(Vds)

下降时间 15 ns 15 ns 37 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 30W (Tc) 150W (Tc) 30W (Tc)

极性 - N-CH N-Channel

连续漏极电流(Ids) - 18A -

漏源击穿电压 - - 600 V

额定功率(Max) - - 30 W

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 16.4 mm 9.35 mm 16.4 mm

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

香港进出口证 - NLR -