CY7C1518AV18-250BZXI、GS8662T18BD-250I、CY7C1518KV18-250BZXI对比区别

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型号 CY7C1518AV18-250BZXI GS8662T18BD-250I CY7C1518KV18-250BZXI

描述 72兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 165 - 165

封装 FBGA-165 BGA-165 FBGA-165

位数 18 - 18

存取时间(Max) 0.45 ns - 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 - - 250 MHz

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 FBGA-165 BGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a