DS1265W-100+、DS1265Y-70+、DS1265W-100对比区别

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型号 DS1265W-100+ DS1265Y-70+ DS1265W-100

描述 IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPNon-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 36 36

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - 70.0 GHz 100 GHz

存取时间 100 ns 70 ns 100 ns

内存容量 - 8000000 B 8000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 5.5 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 4.5 V 3 V

长度 53.34 mm 53.34 mm 53.34 mm

宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 10.29 mm 10.29 mm 10.29 mm

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free