NTD24N06LT4G、STD20NF06T4、STD30NF06LT4对比区别

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型号 NTD24N06LT4G STD20NF06T4 STD30NF06LT4

描述 MOSFET 晶体管，ON SemiconductorSTMICROELECTRONICS  STD20NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD30NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 24.0 A 24.0 A 35.0 A

额定功率 - 60 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.036 Ω 0.032 Ω 0.022 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 62.5 W 60 W 70 W

阈值电压 1.7 V 4 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 24.0 A, 24.0 mA 24.0 A 35.0 A

上升时间 97 ns 30 ns 105 ns

输入电容(Ciss) 1140pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.36 W 60 W 70 W

下降时间 52 ns 8 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.36 W 60W (Tc) 70W (Tc)

输入电容 - - 1600 pF

通道数 1 - -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.38 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99