锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRLR3717TRPBF、STD86N3LH5、STD17NF03LT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR3717TRPBF STD86N3LH5 STD17NF03LT4

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 120A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN沟道30 V , 0.0045欧姆, 80 A, DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFETN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电流 120 A - 17.0 A

漏源极电阻 5.5 mΩ 0.0045 Ω 0.05 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 89 W 70 W 30 W

产品系列 IRLR3717 - -

输入电容 2830pF @10V 1850 pF 320 pF

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 120 A - 17.0 A

输入电容(Ciss) 2830pF @10V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 89 W 70 W 30 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 30.0 V

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 1.8 V 1.5 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

上升时间 - 14 ns 100 ns

下降时间 - 10.8 ns 22 ns

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 30W (Tc)

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

高度 2.26 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99