DS1250AB-70IND、DS1250Y-70、DS1250AB-70IND+对比区别

高亮显示差异参数

型号 DS1250AB-70IND DS1250Y-70 DS1250AB-70IND+

描述 IC NVSRAM 4Mbit 70NS 32EDIPIC NVSRAM 4Mbit 70NS 32DIPIC NVSRAM 4Mbit 70NS 32DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz -

存取时间 70 ns 70.0 ns 70 ns

内存容量 4000000 B 500000 B -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压(Max) 5.25 V - -

电源电压(Min) 4.75 V - -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

长度 42.29 mm - -

宽度 13.97 mm - -

高度 4.06 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅