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1SS319(F)、BAS 40-07 E6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1SS319(F) BAS 40-07 E6327

描述 Diode SBD Vr=40V Io=100mA SMQDiode Schottky 40V 0.12A 4Pin(3+Tab) SOT-143 T/R

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)

分类 肖特基二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 4 4

封装 - SOT-143-4

额定电压(DC) - 40.0 V

额定电流 - 120 mA

正向电压 0.6 V 1 V

耗散功率 - 250 mW

反向恢复时间 - 0.1 ns

正向电流 - 0.12 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 0.2 A

正向电流(Max) - 120 mA

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm

高度 - 1 mm

封装 - SOT-143-4

工作温度 - -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free