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IXFR180N10、VMO150-01P1、HUF75652G3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFR180N10 VMO150-01P1 HUF75652G3

描述 ISOPLUS N-CH 100V 165AN-CH 100V 165AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75652G3..  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Chassis Through Hole

封装 TO-247-3 ECO-PAC2 TO-247-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 400 W 400W (Tc) 515 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 165 A 165A 75.0 A

输入电容(Ciss) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 7585pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 400 W 400 W 515 W

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 515W (Tc)

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 165 A - 75.0 A

漏源极电阻 8.00 mΩ - 0.0067 Ω

上升时间 90.0 ns - -

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 100 V

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-247-3 ECO-PAC2 TO-247-3

长度 - - 15.87 mm

宽度 - - 4.82 mm

高度 - - 20.82 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99