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APT20M120JCU3、IXFN20N120、APT20M120JCU2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M120JCU3 IXFN20N120 APT20M120JCU2

描述 ISOTOP®降压斩波器的SiC MOSFET斩波二极管功率模块 ISOTOP® Buck chopper MOSFET SiC chopper diode Power moduleTrans MOSFET N-CH 1.2kV 20A 4Pin SOT-227BISOTOP ?升压斩波MOSFET和SiC二极管斩波模块电源 ISOTOP® Boost chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Chassis Chassis

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

耗散功率 - 780W (Tc) 543W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1200 V

输入电容(Ciss) 7736pF @25V(Vds) 7400pF @25V(Vds) 7736pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 780W (Tc) 543W (Tc)

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 20A - -

额定功率(Max) 543 W - -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free