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M93C66-WMN6、M93C66-WMN6TP、M93C66-WMN3TP/S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M93C66-WMN6 M93C66-WMN6TP M93C66-WMN3TP/S

描述 16Kbit的, 8Kbit , 4k位, 2Kbit和的1K位( 8位或16位宽) MICROWIRE串行EEPROM的访问 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE Serial Access EEPROMPROM 串行 Microwire,STMicroelectronics工业标准 MICROWIRE™ 总线 ### EEPROM 串行存取 - STMicroelectronics16千位,千位8 , 4千位,千位2和1千位( 8位或16位宽) MICROWIRE㈢串行EEPROM的访问 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE㈢ serial access EEPROM

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP

存取时间(Max) 200 ns 200 ns 200 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

频率 - 2 MHz -

工作电压 - 2.5V ~ 5.5V -

供电电流 - 2 mA -

针脚数 - 8 -

时钟频率 4.00 MHz, 2.00 MHz (max) 2 MHz -

存取时间 4.00 µs 200 ns -

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 2.5 V -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

内存容量 4000 B - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.25 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -