BZT52H-C4V7、BZT52H-C4V7,115、1N5230B对比区别

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型号 BZT52H-C4V7 BZT52H-C4V7,115 1N5230B

描述 830mW，BZT52H 系列，NXP Semiconductors通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳，SOD-123F ### 齐纳二极管，NXP SemiconductorsNXP BZT52H-C4V7,115 单路 齐纳二极管, 4.7V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装Zener Diode 4.7V 5% 0.5W(1/2W) Do-35 Case

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NTE Electronics

分类 齐纳二极管分立器件

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 SOD-123F SOD-123F -

容差 - ±5 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 830 mW 375 mW -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 4.7 V 4.7 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 375 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 830 mW 830 mW -

长度 2.7 mm 2.7 mm -

宽度 1.7 mm 1.7 mm -

高度 1.2 mm 1.2 mm -

封装 SOD-123F SOD-123F -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 0.2 mV/K -1.65 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -