AO4485、FDS4685、FDS4675对比区别

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型号 AO4485 FDS4685 FDS4675

描述 -40V,-10A,P沟道MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4685.  晶体管, P沟道FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 13 mohm, -10 V, -1.4 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - -40.0 V -40.0 V

额定电流 - -8.20 A -11.0 A

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.022 Ω 0.013 Ω

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 1.7 W 2.5 W 2.4 W

输入电容 - 1.87 nF 4.35 nF

栅电荷 - 19.0 nC 40.0 nC

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 10A 8.20 mA -11.0 A

上升时间 20 ns 11 ns 29.0 ns

输入电容(Ciss) 3000pF @20V(Vds) 1872pF @20V(Vds) 4350pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - 1.2 W 1.2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.7W (Ta) 2.5W (Ta) 2.4W (Ta)

额定功率 1.1 W - -

正向电压(Max) 1 V - -

下降时间 30 ns 18 ns -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 40 V -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.575 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99