PMN40UPE、SI3433BDV-T1-E3、DMP2066LDM-7对比区别

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型号 PMN40UPE SI3433BDV-T1-E3 DMP2066LDM-7

描述 NXP  PMN40UPE  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.037 ohm, -4.5 V, -700 mVVISHAY  SI3433BDV-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.034 ohm, -4.5 V, -450 mVDIODES INC.  DMP2066LDM-7  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.6 A, -20 V, 0.029 ohm, -4.5 V, 960 mV 新

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 6 6 6

封装 SOT-457 TSOP SOT-23-6

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.037 Ω 0.034 Ω 0.029 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.22 W 1.1 W 1.25 W

漏源极电压(Vds) 20 V -20.0 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 4.7A -5.60 A 4.6A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

阈值电压 - - 960 mV

上升时间 - - 9.9 ns

输入电容(Ciss) - - 820pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.25 W

下降时间 - - 23.4 ns

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1250 mW

封装 SOT-457 TSOP SOT-23-6

产品生命周期 Unknown - Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)