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AUIRF1404S、IRF1404STRLPBF、IRF1404SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF1404S IRF1404STRLPBF IRF1404SPBF

描述 INFINEON  AUIRF1404S  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2 VIRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-PakINFINEON  IRF1404SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 200 W 200 W 200 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0035 Ω 0.0035 Ω 0.004 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 3.8 W 200 W

阈值电压 2 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 162A 162A 162A

上升时间 140 ns 140 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 7360pF @25V(Vds) 7360pF @25V(Vds) 7360pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.8 W 3.8 W

下降时间 26 ns 26 ns 26 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

输入电容 - 7360 pF -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 11.3 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17