STP23NM60ND、STP28N60DM2、STB20NM60-1对比区别

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型号 STP23NM60ND STP28N60DM2 STB20NM60-1

描述 STMICROELECTRONICS  STP23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP28N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新N沟道600V - 0.25ヘ - 20A - TO- 247 - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.25ヘ - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.15 Ω 0.13 Ω 290 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 170 W 192 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 19.5A 21A 20.0 A

上升时间 19 ns 7.3 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 2100pF @50V(Vds) 1500pF @100V(Vds) 1500pF @25V(Vds)

下降时间 42 ns 9.3 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 170W (Tc) 192W (Tc)

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 20.0 A

通道数 - - 1

输入电容 - - 1.50 nF

栅电荷 - - 54.0 nC

漏源击穿电压 - - 600 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

额定功率(Max) 150 W - 192 W

长度 10.4 mm 10.4 mm 10 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.4 mm

高度 15.75 mm 15.75 mm 8.95 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -