FDY1002PZ、SSM6P41FE(TE85L,F)对比区别
型号 FDY1002PZ SSM6P41FE(TE85L,F)
描述 PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。ES P-CH 20V 0.72A
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 -
封装 SC-89-6 SOT-563
极性 P-CH P-CH
耗散功率 625 mW -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 0.83A 0.72A
上升时间 2.9 ns -
输入电容(Ciss) 135pF @10V(Vds) 110pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 446 mW 150 mW
下降时间 2.9 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 0.625 W -
长度 1.7 mm -
宽度 1.2 mm -
高度 0.6 mm -
封装 SC-89-6 SOT-563
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free