BQ4013LYMA-70N、M48Z129V-70PM1对比区别

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型号 BQ4013LYMA-70N M48Z129V-70PM1

描述 128的K× 8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 128 k X 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)5.0 V或3.3 V ， 1兆位（ 128 KB ×8 ） ZEROPOWER ？ SRAM 5.0 V or 3.3 V, 1 Mbit (128 Kb x 8) ZEROPOWER? SRAM

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 RAM芯片

引脚数 32 -

封装 DIP-32 DIP

电源电压(DC) 3.30 V -

供电电流 50 mA -

存取时间 70 ns -

内存容量 125000 B -

存取时间(Max) 70 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 3.3 V -

长度 42.8 mm -

宽度 18.42 mm -

高度 9.4 mm -

封装 DIP-32 DIP

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free -

ECCN代码 EAR99 -