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JANTX1N758A、JANTX1N758A-1、1N758A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N758A JANTX1N758A-1 1N758A

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESZener Diode 10V 5% 0.5W(1/2W) Do-35 Case

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 齐纳二极管分立器件

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1 V -

耗散功率 - 480 mW -

测试电流 - 20 mA -

稳压值 - 10 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -