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6116LA20SOG8、6116LA25SOG、IDT6116LA20SO8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA20SOG8 6116LA25SOG IDT6116LA20SO8

描述 IC SRAM 16Kbit 20NS 24SOIC静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器IC SRAM 16Kbit 20NS 24SOIC

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 24 24 24

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOP-24

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

存取时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

长度 15.4 mm 15.4 mm 15.4 mm

宽度 7.60 mm 7.6 mm 7.5 mm

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOP-24

高度 - 2.34 mm -

厚度 2.34 mm 2.34 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99