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BZD27C5V1P-GS08、BZD27C5V1P-GS18、BZD27C5V1P-M-08对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C5V1P-GS08 BZD27C5V1P-GS18 BZD27C5V1P-M-08

描述 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current SpecificationDiode Zener Single 5.1V 6% 800mW Automotive 2Pin DO-219AB T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Surface Mount

引脚数 2 - -

封装 DO-219AB DO-219AB DO-219AB

击穿电压 6.00 V - -

稳压值 5.1 V - 5.1 V

正向电压(Max) 1.2V @200mA - -

额定功率(Max) 800 mW - 800 mW

耗散功率 - 800 mW -

测试电流 - 100 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

正向电压 - - 1.2V @200mA

封装 DO-219AB DO-219AB DO-219AB

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.9 mm -

高度 - 0.98 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃