IRFR3710ZPBF、IRFR3710ZTRPBF、IRFR3410PBF对比区别

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型号 IRFR3710ZPBF IRFR3710ZTRPBF IRFR3410PBF

描述 INFINEON  IRFR3710ZPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFR3710ZTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFR3410PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 39 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 140 W 140 W 110 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.018 Ω 0.015 Ω 0.039 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 140 W 110 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 56A 56A 31A

上升时间 43 ns 43 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 2930pF @25V(Vds) 2930pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 140 W 3 W

下降时间 42 ns 42 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc)

输入电容 2930pF @25V 2930 pF -

漏源击穿电压 100 V - -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -