SI4830ADY-T1-E3、SI4830ADY-T1-GE3、SI4830CDY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4830ADY-T1-E3 SI4830ADY-T1-GE3 SI4830CDY-T1-GE3

描述 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOICMOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOICMOSFET; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.017Ω; ID 5.7A; SO-8; PD 1.1W; VGS +/-20V; gFS 1

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 - - 0.025 Ω

极性 - - Dual N-Channel

耗散功率 - - 1.1 W

输入电容 - - 950pF @15V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

输入电容(Ciss) - - 950pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 2.9 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 - - 5 mm

高度 - - 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC