GS8662Q18BGD-250、UPD44645182AF5-E40-FQ1-A、CY7C1512KV18-250BZC对比区别

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型号 GS8662Q18BGD-250 UPD44645182AF5-E40-FQ1-A CY7C1512KV18-250BZC

描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-16572m 同步 sram qdr ii+ 2 字 突发 250 MHz fbga封装 仅含铅

数据手册 ---

制造商 GSI Renesas Electronics (瑞萨电子) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

封装 BGA-165 LBGA FBGA-165

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 165

封装 BGA-165 LBGA FBGA-165

高度 - - 0.89 mm

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

时钟频率 - - 250 MHz

位数 - - 18

存取时间(Max) - - 0.45 ns

电源电压 - - 1.7V ~ 1.9V

工作温度 0℃ ~ 85℃ - 0℃ ~ 70℃ (TA)

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a