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JANS1N6312DUS、JANTXV1N6312DUS、1N6312DUSE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS1N6312DUS JANTXV1N6312DUS 1N6312DUSE3

描述 B-MELF 3.3V 0.5W(1/2W)Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,B-MELF 3.3V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 2 2 -

封装 B-MELF B-MELF B-MELF

容差 ±1 % - -

正向电压 1.4V @1A - -

耗散功率 0.5 W - 500 mW

测试电流 20 mA 20 mA -

稳压值 3.3 V 3.3 V 3.3 V

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 B-MELF B-MELF B-MELF

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -