IPD80R1K4CEATMA1、IPD80R1K4CEBTMA1对比区别

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型号 IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R1K4CEBTMA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 800V 3.9A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 63 W -

通道数 1 1

针脚数 3 -

漏源极电阻 1.2 Ω 1.2 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 63 W 63 W

阈值电压 3 V 2.1 V

输入电容 570 pF -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 3.9A 3.9A

上升时间 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 570pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)

下降时间 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 63W (Tc) 63W (Tc)

漏源击穿电压 - 800 V

长度 6.73 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

高度 - 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -