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IRFR3418PBF、IRFR3710ZPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3418PBF IRFR3710ZPBF

描述 DPAK N-CH 80V 70AINFINEON  IRFR3710ZPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 140 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.018 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 3.8W (Ta), 140W (Tc) 140 W

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 2930pF @25V

漏源极电压(Vds) 80 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V

连续漏极电流(Ids) 70A 56A

上升时间 72 ns 43 ns

输入电容(Ciss) 3510pF @25V(Vds) 2930pF @25V(Vds)

下降时间 27 ns 42 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 140W (Tc)

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube

RoHS标准

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17