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DL4007-13、BYM10-1000-E3/96、GL41K-E3/97对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DL4007-13 BYM10-1000-E3/96 GL41K-E3/97

描述 DIODE GEN PURPOSE 1000V 1A MELF1A,超过 450V采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器,Vishay SemiconductorDiode 800V 1A 2Pin DO-213AB T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管整流二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 -

封装 DO-213AB DO-213AB DO-213AB

额定电压(DC) 1.00 kV - -

额定电流 1.00 A - -

电容 15.0 pF - -

输出电流 ≤1.00 A - -

正向电压 1.1V @1A 1.2V @1A 1.2V @1A

极性 Standard - -

正向电压(Max) 1.1V @1A 1.2V @1A 1.2V @1A

正向电流(Max) 1 A 1 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

负载电流 - 1 A -

正向电流 - 1 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 30 A -

封装 DO-213AB DO-213AB DO-213AB

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 2.67 mm -

高度 - 2.67 mm -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -