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IS61NLP51236-200B3、IS61NLP51236-200B3LI、IS61NLP51236-200B3I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61NLP51236-200B3 IS61NLP51236-200B3LI IS61NLP51236-200B3I

描述 静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3vSRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 3.1ns 165Pin BGA静态随机存取存储器 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 36,200Mhz,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 TFBGA-165 BGA-165 BGA-165

电源电压(DC) 3.30 V, 3.47 V (max) 3.30 V, 3.47 V (max) -

时钟频率 200MHz (max) 200MHz (max) -

位数 36 36 36

存取时间 3.1 ns 5.00 ns 3.1 ns

内存容量 18000000 B 18000000 B -

存取时间(Max) 3.1 ns 3.1 ns 3.1 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V -

封装 TFBGA-165 BGA-165 BGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99