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CA3083M96、CA3083MZ96对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CA3083M96 CA3083MZ96

描述 General Purpose High Current NPN Transistor Array通用大电流NPN晶体管阵列 General Purpose High Current NPN Transistor Array

数据手册 --

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Intersil (英特矽尔)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 16

封装 SOIC-16 SOIC-16

极性 - NPN

耗散功率 - 500 mW

增益频宽积 - 450 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @50mA, 3V 40 @50mA, 3V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

长度 - 10 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free