TSM1N60CP、TSM1NB60CP对比区别

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型号 TSM1N60CP TSM1NB60CP

描述 DPAK N-CH 600V 1ATAIWAN SEMICONDUCTOR  TSM1NB60CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3.5 V

数据手册 --

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252 TO-252

针脚数 - 3

漏源极电阻 8 Ω 8 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 39 W

阈值电压 4 V 3.5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

额定功率 50 W -

连续漏极电流(Ids) 1A -

封装 TO-252 TO-252

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

产品生命周期 Obsolete -