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ICTE18HE3_A/D、ICTE18-E3/51、ICTE18-E3/73对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE18HE3_A/D ICTE18-E3/51 ICTE18-E3/73

描述 Tvs Diode 18vwm 25.2vc 1.5keDiode TVS Single Uni-Dir 18V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE BulkESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 18V Unidirect

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作电压 - - 18 V

击穿电压 - 21.2 V 21.2 V

钳位电压 - 25.2 V 25.2 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 21.2 V 21.2 V 21.2 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率 - 1.5 kW -

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free