MMFT1N10ET1、STN1NF10、MMFT1N10E对比区别

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型号 MMFT1N10ET1 STN1NF10 MMFT1N10E

描述 中等功率场效应晶体管N沟道增强模式硅栅TMOS E-FET？SOT-223表面贴装这种先进的E-FET是一个TMOS中等功率MOSFET设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。这种新型高效节能设备，还提供了一个漏 - 源二..STMICROELECTRONICS  STN1NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 VSOT-223 N-CH 100V 1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

引脚数 4 3 -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

上升时间 15 ns 5.5 ns -

输入电容(Ciss) 410pF @20V(Vds) 105pF @25V(Vds) -

下降时间 32 ns 6.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 800 mW 2.5W (Tc) -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 1.00 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.7 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 2.5 W -

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 500 mA 1A

额定功率(Max) - 2.5 W -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.6 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -