2SK1010-01、BUZ41A、IRF830PBF对比区别

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型号 2SK1010-01 BUZ41A IRF830PBF

描述 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FETSIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)VISHAY SILICONIX  IRF830PBF  场效应管, MOSFET, N沟道

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-220 TO-220-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 1.5 Ω

耗散功率 - - 74 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) - 500 V 500 V

上升时间 - - 16 ns

输入电容(Ciss) - - 610pF @25V(Vds)

下降时间 - - 16 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) - - 74W (Tc)

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 4.5A -

封装 - TO-220 TO-220-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free