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CYD18S18V18-167BBAXI、CYD18S18V18-200BBAXI、CYD18S18V18-200BBAXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYD18S18V18-167BBAXI CYD18S18V18-200BBAXI CYD18S18V18-200BBAXC

描述 CYD18S18V18 系列 18 Mb (256 K x 72) 1.8 V 4 ns 双端口 静态 RAM FBGA-256CYD18S18V18 系列 18M (1M x 18) 200MHz FullFlex™ 同步 SDR 双端口 SRAMCYD18S18V18 系列 18 Mb (256 K x 72) 1.8 V 3.3 ns 双端口 静态 RAM FBGA-256

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 256 256 256

封装 LBGA-256 FBGA-256 FBGA-256

频率 - - 200 MHz

电源电压(DC) - - 1.42V (min)

时钟频率 - - 77.0 MHz

位数 18 18 18

存取时间 - 9 ns, 5 ns 3.3 ns

内存容量 - - 2250000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

高度 1.25 mm - 1.25 mm

封装 LBGA-256 FBGA-256 FBGA-256

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.b 3A991.b.2.b 3A991.b.2.b