DS1265AB-70IND、DS1265Y-70+、DS1265AB-70IND+对比区别

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型号 DS1265AB-70IND DS1265Y-70+ DS1265AB-70IND+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPNon-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

引脚数 36 36 -

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz -

内存容量 8000000 B 8000000 B -

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

长度 53.34 mm 53.34 mm -

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

高度 10.29 mm 10.29 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free