IRF8304MTR1PBF、IRF8304MTRPBF对比区别

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型号 IRF8304MTR1PBF IRF8304MTRPBF

描述 Direct-FET N-CH 30V 28ADirect-FET N-CH 30V 28A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 Direct-FET Direct-FET

漏源极电阻 - 0.0017 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 100 W 2.8 W

阈值电压 - 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 28A 28A

上升时间 22 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 4700pF @15V(Vds) 4700pF @15V(Vds)

下降时间 13 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 100W (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc)

长度 3 mm 3 mm

宽度 3 mm 3 mm

高度 1.11 mm 1.11 mm

封装 Direct-FET Direct-FET

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17